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R1EX24032ASAS0I#S0

R1EX24032ASAS0I#S0

참조 용

부품 번호 R1EX24032ASAS0I#S0
PNEDA 부품 번호 R1EX24032ASAS0I-S0
설명 IC EEPROM 32K I2C 400KHZ 8SOIC
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 6,750
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 31 - 2월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R1EX24032ASAS0I#S0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R1EX24032ASAS0I#S0
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
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R1EX24032ASAS0I#S0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간900ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

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메모리 크기

512Gb (64G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 2.8ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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전압-공급

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