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R1LP0108ESN-7SI#B0

R1LP0108ESN-7SI#B0

참조 용

부품 번호 R1LP0108ESN-7SI#B0
PNEDA 부품 번호 R1LP0108ESN-7SI-B0
설명 IC SRAM 1MBIT 70NS 32SOP
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 6,534
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 20 - 2월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R1LP0108ESN-7SI#B0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R1LP0108ESN-7SI#B0
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
R1LP0108ESN-7SI#B0, R1LP0108ESN-7SI#B0 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 190.44 KB)
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R1LP0108ESN-7SI#B0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지32-SOP

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

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78-FBGA (8x10.5)

IS42S16400J-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

71V547S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

IS61NLP25618A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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