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R1LP5256ESP-5SR#S0

R1LP5256ESP-5SR#S0

참조 용

부품 번호 R1LP5256ESP-5SR#S0
PNEDA 부품 번호 R1LP5256ESP-5SR-S0
설명 IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP
제조업체 Renesas Electronics America
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예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R1LP5256ESP-5SR#S0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R1LP5256ESP-5SR#S0
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
R1LP5256ESP-5SR#S0, R1LP5256ESP-5SR#S0 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 239.19 KB)
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R1LP5256ESP-5SR#S0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOP

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

153-VFBGA

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Micron Technology Inc.

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

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장착 유형

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공급자 장치 패키지

54-TSOP II

MT41K128M16JT-125 M:K

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

FM1808B-SGTR

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

130ns

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

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메모리 크기

4.5Mb (256K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.2ns

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작동 온도

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