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R1LV0216BSB-5SI#B1

R1LV0216BSB-5SI#B1

참조 용

부품 번호 R1LV0216BSB-5SI#B1
PNEDA 부품 번호 R1LV0216BSB-5SI-B1
설명 IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 8,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R1LV0216BSB-5SI#B1 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R1LV0216BSB-5SI#B1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
R1LV0216BSB-5SI#B1, R1LV0216BSB-5SI#B1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 191.81 KB)
PDFR1LV0216BSB-7SI#S0 데이터 시트 표지
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R1LV0216BSB-5SI#B1 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

7ns

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-VFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

S25FL129P0XBHI303

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

24-BGA (6x8)

BR93H66RFVT-2CE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (256 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-B

FT24C32A-USG-T

Fremont Micro Devices Ltd

제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

800kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

700ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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