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R1LV5256ESA-5SI#S1

R1LV5256ESA-5SI#S1

참조 용

부품 번호 R1LV5256ESA-5SI#S1
PNEDA 부품 번호 R1LV5256ESA-5SI-S1
설명 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 12,846
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R1LV5256ESA-5SI#S1 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R1LV5256ESA-5SI#S1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
R1LV5256ESA-5SI#S1, R1LV5256ESA-5SI#S1 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 282.85 KB)
PDFR1LV5256ESP-7SR#S0 데이터 시트 표지
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R1LV5256ESA-5SI#S1 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지28-TSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Quad Port, Synchronous

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.1ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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메모리 유형

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

EEPROM

메모리 크기

32Kb (4K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

800kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

700ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CY62256VNLL-70SNXET

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

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제조업체

Micron Technology Inc.

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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