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R1RP0416DSB-2PR#D1

R1RP0416DSB-2PR#D1

참조 용

부품 번호 R1RP0416DSB-2PR#D1
PNEDA 부품 번호 R1RP0416DSB-2PR-D1
설명 IC SRAM IBIS ASYNC
제조업체 Renesas Electronics America
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재고 있음 2,934
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

R1RP0416DSB-2PR#D1 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R1RP0416DSB-2PR#D1
분류반도체메모리 IC기억

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R1RP0416DSB-2PR#D1 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-TSOP II

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-MSOP

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR IV

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1066MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.26V ~ 1.34V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

361-FCBGA (21x21)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

7ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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