R6020PNJFRATL
참조 용
| 부품 번호 | R6020PNJFRATL |
| PNEDA 부품 번호 | R6020PNJFRATL |
| 설명 | R6020PNJFRA IS THE HIGH RELIABIL |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,806 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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R6020PNJFRATL 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | R6020PNJFRATL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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R6020PNJFRATL 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2040pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 304W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LPTS |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 510pF @ 75V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 38W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TSDSON-8 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SuperFET® II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 199mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 74nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2950pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 39W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
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