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R9G22212CSOO

R9G22212CSOO

참조 용

부품 번호 R9G22212CSOO
PNEDA 부품 번호 R9G22212CSOO
설명 DIODE GP 2.2KV 1200A DO200AB
제조업체 Powerex Inc.
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R9G22212CSOO 리소스

브랜드 Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R9G22212CSOO
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
R9G22212CSOO, R9G22212CSOO 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 614.67 KB)
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  • R9G22212CSOO Distributor

R9G22212CSOO 사양

제조업체Powerex Inc.
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)2200V
전류-평균 정류 (Io)1200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.3V @ 1500A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)4µs
전류-역방향 누설 @ Vr75mA @ 2200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스DO-200AB, B-PUK
공급자 장치 패키지DO-200AB, B-PUK
작동 온도-접합-

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

600ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

160pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

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Central Semiconductor Corp

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-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

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Through Hole

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