RB521SM-30FHT2R
참조 용
| 부품 번호 | RB521SM-30FHT2R |
| PNEDA 부품 번호 | RB521SM-30FHT2R |
| 설명 | DIODE RECTIFIER FRD 30V-VR 0.2 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 143,262 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RB521SM-30FHT2R 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RB521SM-30FHT2R |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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RB521SM-30FHT2R 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 30V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 200mA |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 470mV @ 200mA |
| 속도 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 30µA @ 10V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-79, SOD-523 |
| 공급자 장치 패키지 | EMD2 |
| 작동 온도-접합 | 150°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 320A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 60A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 60mA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AB, DO-9, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AB, DO-9 작동 온도-접합 -40°C ~ 180°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 12A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 SUPERECTIFIER® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 250mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 3.5V @ 250mA 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 3pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 3200V 전류-평균 정류 (Io) 2000A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.45V @ 3000A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25µs 전류-역방향 누설 @ Vr 200mA @ 3200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AD 공급자 장치 패키지 Pow-R-Disc 작동 온도-접합 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
