RB550EAFHTR
참조 용
| 부품 번호 | RB550EAFHTR |
| PNEDA 부품 번호 | RB550EAFHTR |
| 설명 | DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VRM 30 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,894 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RB550EAFHTR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RB550EAFHTR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-배열 |
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RB550EAFHTR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 구성 | 2 Independent |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 30V |
| 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 700mA |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 490mV @ 700mA |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 10.7ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 50µA @ 30V |
| 작동 온도-접합 | 150°C (Max) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| 공급자 장치 패키지 | TSMD5 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 7.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 730mV @ 7.5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 50V 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 35V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 560mV @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2mA @ 35V 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TMBS® 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 580mV @ 10A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2mA @ 45V 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 공급자 장치 패키지 TO-262AA |
제조업체 Semtech Corporation 시리즈 - 다이오드 구성 - 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.2V @ 36A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 4µA @ 1000V 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 90A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 20A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 18µA @ 1200V 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247-3 |
