RCJ330N25TL
참조 용
| 부품 번호 | RCJ330N25TL |
| PNEDA 부품 번호 | RCJ330N25TL |
| 설명 | MOSFET N-CH 250V 33A LPTS |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 12,276 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RCJ330N25TL 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RCJ330N25TL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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RCJ330N25TL 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 250V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 33A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.56W (Ta), 40W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LPTS |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 42.8nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2850pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-HSOP 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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