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RCX510N25

RCX510N25

참조 용

부품 번호 RCX510N25
PNEDA 부품 번호 RCX510N25
설명 MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,156
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RCX510N25 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RCX510N25
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RCX510N25, RCX510N25 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 134.78 KB)
PDFRCX510N25 데이터 시트 표지
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RCX510N25 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)51A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)40W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FM
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Ta), 210A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5790pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MX

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MX

IPA60R600P7SE8228XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ P7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

363pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

21W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220 Full Pack

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

GA10SICP12-263

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 10A

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1403pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK (7-Lead)

패키지 / 케이스

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

CSD19534KCS

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1670pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

118W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

VS-FA38SA50LCP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

420nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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NTS0104BQ,115

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