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RCX511N25

RCX511N25

참조 용

부품 번호 RCX511N25
PNEDA 부품 번호 RCX511N25
설명 MOSFET N-CH 250V 51A TO220
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 9,468
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RCX511N25 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RCX511N25
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RCX511N25, RCX511N25 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 773.58 KB)
PDFRCX511N25 데이터 시트 표지
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RCX511N25 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs65mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs120nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.23W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FM
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2610pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

IXTQ82N25P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

82A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 41A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

142nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

AON6448

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

SDMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3100pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

CSD18514Q5AT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

89A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2683pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

74W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSONP (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

NDP4050

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

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