RDR005N25TL
참조 용
부품 번호 | RDR005N25TL |
PNEDA 부품 번호 | RDR005N25TL |
설명 | MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3 |
제조업체 | Rohm Semiconductor |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 110,322 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
RDR005N25TL 리소스
브랜드 | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | RDR005N25TL |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- RDR005N25TL Datasheet
- where to find RDR005N25TL
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor RDR005N25TL
- RDR005N25TL PDF Datasheet
- RDR005N25TL Stock
- RDR005N25TL Pinout
- Datasheet RDR005N25TL
- RDR005N25TL Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- RDR005N25TL Price
- RDR005N25TL Distributor
RDR005N25TL 사양
제조업체 | Rohm Semiconductor |
시리즈 | - |
FET 유형 | N-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 250V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.8Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 1mA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
Vgs (최대) | ±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 70pF @ 25V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 540mW (Ta) |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | TSMT3 |
패키지 / 케이스 | SC-96 |
관심을 가질만한 제품
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 660mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 660mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 430pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
Nexperia 제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 72nC @ 5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11380pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 263W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Toshiba Semiconductor and Storage 제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 DTMOSIV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 109mOhm @ 15.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 105nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3000pF @ 300V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 240W (Tc) 작동 온도 150°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 4-DFN-EP (8x8) 패키지 / 케이스 4-VSFN Exposed Pad |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 FASTIRFET™, HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta), 128A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.6V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 54nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2320pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.9W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 152W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3P 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3 |