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RF073M2STR

RF073M2STR

참조 용

부품 번호 RF073M2STR
PNEDA 부품 번호 RF073M2STR
설명 DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,412
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RF073M2STR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RF073M2STR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
RF073M2STR, RF073M2STR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 45.22 KB)
PDFRF073M2STR 데이터 시트 표지
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RF073M2STR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)700mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If890mV @ 700mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)20ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123F
공급자 장치 패키지PMDU
작동 온도-접합150°C (Max)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

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SCFS8000

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제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

8000V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

16.2V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 8000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RL106-N-2-1-BP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial, Radial Bend

공급자 장치 패키지

A-405

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

B130LB-13-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

445mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

90pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

LSIC2SD065C16A

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

Gen2

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

38A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 16A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

730pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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