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RF505TF6S

RF505TF6S

참조 용

부품 번호 RF505TF6S
PNEDA 부품 번호 RF505TF6S
설명 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220NFM
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 17,172
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RF505TF6S 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RF505TF6S
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
RF505TF6S, RF505TF6S 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 441.31 KB)
PDFRF505TF6S 데이터 시트 표지
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RF505TF6S 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지TO-220NFM
작동 온도-접합150°C (Max)

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

HER202G B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

5817SMGE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

DO-215AA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MR756RL

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 6A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Button, Axial

공급자 장치 패키지

Microde Button

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

FFP04S60STU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Stealth™

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.6V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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