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RFM12U7X(TE12L,Q)

RFM12U7X(TE12L,Q)

참조 용

부품 번호 RFM12U7X(TE12L,Q)
PNEDA 부품 번호 RFM12U7X-TE12L-Q
설명 MOSFET N-CH PW-X
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 16,896
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RFM12U7X(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RFM12U7X(TE12L,Q)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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RFM12U7X(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수520MHz
이득10.8dB
전압-테스트7.2V
전류 정격 (Amps)4A
소음 수치-
현재-테스트750mA
전원-출력12W
전압-정격20V
패키지 / 케이스TO-271AA
공급자 장치 패키지PW-X

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

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이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

ATF-36077-STR

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

12GHz

이득

12dB

전압-테스트

1.5V

전류 정격 (Amps)

45mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

5dBm

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

4-SMD (77 Pack)

공급자 장치 패키지

77

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

15.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

44W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.7GHz ~ 3GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

51W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

ACP-1230S-4L2S

공급자 장치 패키지

ACP-1230S-4L2S

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