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RGL34B-E3/98

RGL34B-E3/98

참조 용

부품 번호 RGL34B-E3/98
PNEDA 부품 번호 RGL34B-E3-98
설명 DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,802
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGL34B-E3/98 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGL34B-E3/98
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
RGL34B-E3/98, RGL34B-E3/98 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 76.92 KB)
PDFRGL34JHE3/98 데이터 시트 표지
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RGL34B-E3/98 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)500mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 500mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)150ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA (GL34)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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제조업체

Power Integrations

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.94V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

34ns

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

150°C (Max)

CD214B-R2400

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB (DO-214AA)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

S42100TS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

MSG104

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

690mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

IDD12SG60CXTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

12A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.1V @ 12A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

310pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

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