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RGP10BE-E3/53

RGP10BE-E3/53

참조 용

부품 번호 RGP10BE-E3/53
PNEDA 부품 번호 RGP10BE-E3-53
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGP10BE-E3/53 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGP10BE-E3/53
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
RGP10BE-E3/53, RGP10BE-E3/53 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 74.2 KB)
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  • RGP10BE-E3/53 Distributor

RGP10BE-E3/53 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)150ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

50mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 50mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

700ps

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

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패키지 / 케이스

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SK36B/TR13

Microsemi

제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB (DO-214AA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

SD103CW-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

350mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

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작동 온도-접합

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Microsemi

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

300mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

20ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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패키지 / 케이스

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