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RGPR30BM40HRTL

RGPR30BM40HRTL

참조 용

부품 번호 RGPR30BM40HRTL
PNEDA 부품 번호 RGPR30BM40HRTL
설명 400V 30A IGNITION IGBT
제조업체 Rohm Semiconductor
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RGPR30BM40HRTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGPR30BM40HRTL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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RGPR30BM40HRTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)430V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.0V @ 5V, 10A
전력-최대125W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지22nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C500ns/4µs
테스트 조건300V, 8A, 100Ohm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전력-최대

520W

에너지 전환

4.8mJ (on), 2.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

435nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

110ns/490ns

테스트 조건

600V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

전력-최대

200W

에너지 전환

5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

130nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/500ns

테스트 조건

800V, 25A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IRG7CH20K10EF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

HGT1S7N60C3DS9A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

전력-최대

60W

에너지 전환

165µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

480V, 7A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

FGA6065ADF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

306W

에너지 전환

2.46mJ (on), 520µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25.6ns/71ns

테스트 조건

400V, 60A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

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