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RGT50NS65DGTL

RGT50NS65DGTL

참조 용

부품 번호 RGT50NS65DGTL
PNEDA 부품 번호 RGT50NS65DGTL
설명 IGBT
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 19,992
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGT50NS65DGTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGT50NS65DGTL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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RGT50NS65DGTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)48A
전류-수집기 펄스 (Icm)75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
전력-최대194W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/88ns
테스트 조건400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)58ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지LPDS

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

19A

전류-수집기 펄스 (Icm)

38A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

전력-최대

60W

에너지 전환

320µJ (on), 2.58mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

62ns/690ns

테스트 조건

480V, 10A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT25GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

69A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

500µJ (on), 438µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/70ns

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

전력-최대

190W

에너지 전환

2.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/150ns

테스트 조건

960V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGPF70N33BTTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 70A

전력-최대

48W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

550µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/130ns

테스트 조건

400V, 24A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

30ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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