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RGT60TS65DGC11

RGT60TS65DGC11

참조 용

부품 번호 RGT60TS65DGC11
PNEDA 부품 번호 RGT60TS65DGC11
설명 IGBT 650V 55A 194W TO-247N
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,048
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGT60TS65DGC11 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGT60TS65DGC11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • RGT60TS65DGC11 Distributor

RGT60TS65DGC11 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)55A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
전력-최대194W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지58nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C29ns/100ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)58ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247N

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

298W

에너지 전환

850µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGL50N60RUFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.68mJ (on), 1.03mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/66ns

테스트 조건

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

NGTB15N120IHTG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NGTB40N120S3WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 40A

전력-최대

454W

에너지 전환

2.2mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

212nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/145ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

163ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IKP20N60H3XKSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

170W

에너지 전환

690µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/194ns

테스트 조건

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

112ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

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