RGT8NS65DGC9
참조 용
| 부품 번호 | RGT8NS65DGC9 |
| PNEDA 부품 번호 | RGT8NS65DGC9 |
| 설명 | IGBT |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 13,104 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RGT8NS65DGC9 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RGT8NS65DGC9 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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RGT8NS65DGC9 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | Trench Field Stop |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 650V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 8A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 12A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| 전력-최대 | 65W |
| 에너지 전환 | - |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 13.5nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 17ns/69ns |
| 테스트 조건 | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 40ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 공급자 장치 패키지 | TO-262 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 - IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 75A 전류-수집기 펄스 (Icm) 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A 전력-최대 200W 에너지 전환 3.5mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 20ns/410ns 테스트 조건 480V, 50A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUS247™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUS247™ |
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제조업체 IXYS 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 54A 전류-수집기 펄스 (Icm) 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 35A 전력-최대 250W 에너지 전환 900µJ (on), 3.8mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 40ns/270ns 테스트 조건 960V, 35A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 40ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUS247™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUS247™ |
제조업체 IXYS 시리즈 GenX3™, XPT™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 170A 전류-수집기 펄스 (Icm) 360A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A 전력-최대 750W 에너지 전환 2.8mJ (on), 1mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 123nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 27ns/93ns 테스트 조건 400V, 60A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 150ns 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 (IXYH) |
