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RHRD660S9A_NL

RHRD660S9A_NL

참조 용

부품 번호 RHRD660S9A_NL
PNEDA 부품 번호 RHRD660S9A_NL
설명 DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RHRD660S9A_NL 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RHRD660S9A_NL
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RHRD660S9A_NL 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.1V @ 6A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252AA
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

420mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

B280-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

790mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

7mA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

75pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SS24S-M3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SUF15J-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

GP20

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

APT30DQ120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.3V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

320ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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