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RJH60D3DPP-M0#T2

RJH60D3DPP-M0#T2

참조 용

부품 번호 RJH60D3DPP-M0#T2
PNEDA 부품 번호 RJH60D3DPP-M0-T2
설명 IGBT 600V 35A 30W TO220FL
제조업체 Renesas Electronics America
단가
1 ---------- $90.0168
50 ---------- $85.7972
100 ---------- $81.5777
200 ---------- $77.3582
400 ---------- $73.8419
500 ---------- $70.3256
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RJH60D3DPP-M0#T2 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH60D3DPP-M0#T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
RJH60D3DPP-M0#T2, RJH60D3DPP-M0#T2 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 102.1 KB)
PDFRJH60D3DPP-M0#T2 데이터 시트 표지
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RJH60D3DPP-M0#T2 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)35A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 17A
전력-최대40W
에너지 전환200µJ (on), 210µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지37nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C35ns/80ns
테스트 조건300V, 17A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)100ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220FL

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

76A

전류-수집기 펄스 (Icm)

152A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 38A

전력-최대

200W

에너지 전환

9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/600ns

테스트 조건

480V, 38A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

RGT50NS65DGC9

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

194W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/88ns

테스트 조건

400V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

AOTF20B65LN2

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 20A

전력-최대

45W

에너지 전환

450µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

52nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/135ns

테스트 조건

400V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

266ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

APT30GT60KRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

525µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/225ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

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480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

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