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RJH60F0DPK-00#T0

RJH60F0DPK-00#T0

참조 용

부품 번호 RJH60F0DPK-00#T0
PNEDA 부품 번호 RJH60F0DPK-00-T0
설명 IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P
제조업체 Renesas Electronics America
단가
1 ---------- $44.9400
100 ---------- $42.8335
250 ---------- $40.7269
500 ---------- $38.6203
750 ---------- $36.8649
1,000 ---------- $35.1094
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RJH60F0DPK-00#T0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH60F0DPK-00#T0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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RJH60F0DPK-00#T0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.82V @ 15V, 25A
전력-최대201.6W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C46ns/70ns
테스트 조건400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)140ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

전력-최대

140W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/90ns

테스트 조건

300V, 22A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

IRG4RC10SDTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

430A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 20A

전력-최대

417W

에너지 전환

23mJ (on), 2.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

425nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/370ns

테스트 조건

1500V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

864ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

ISOPLUSi5-Pak™

APT45GP120B2DQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

113A

전류-수집기 펄스 (Icm)

170A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

전력-최대

625W

에너지 전환

900µJ (on), 905µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/100ns

테스트 조건

600V, 45A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

280W

에너지 전환

1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/70ns

테스트 조건

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

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