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RJH60F3DPQ-A0#T0

RJH60F3DPQ-A0#T0

참조 용

부품 번호 RJH60F3DPQ-A0#T0
PNEDA 부품 번호 RJH60F3DPQ-A0-T0
설명 IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
제조업체 Renesas Electronics America
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예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJH60F3DPQ-A0#T0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH60F3DPQ-A0#T0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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  • RJH60F3DPQ-A0#T0 Distributor

RJH60F3DPQ-A0#T0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.82V @ 15V, 20A
전력-최대178.5W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C44ns/65ns
테스트 조건400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)90ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247A

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제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 17A

전력-최대

150W

에너지 전환

3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/500ns

테스트 조건

800V, 17A, 82Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

RJH60A83RDPP-M0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

전력-최대

30W

에너지 전환

230µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19.7nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/54ns

테스트 조건

300V, 10A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FL

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

전력-최대

300W

에너지 전환

950µJ (on), 840µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

113nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/270ns

테스트 조건

400V, 36A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGA90N30DTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

전력-최대

219W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

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역 복구 시간 (trr)

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