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RJH65D27BDPQ-A0#T0

RJH65D27BDPQ-A0#T0

참조 용

부품 번호 RJH65D27BDPQ-A0#T0
PNEDA 부품 번호 RJH65D27BDPQ-A0-T0
설명 IGBT 650V
제조업체 Renesas Electronics America
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJH65D27BDPQ-A0#T0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH65D27BDPQ-A0#T0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • RJH65D27BDPQ-A0#T0 Distributor

RJH65D27BDPQ-A0#T0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형-
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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전류-수집기 (Ic) (최대)

116A

전류-수집기 펄스 (Icm)

750A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

전력-최대

500W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

400nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

160ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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전력-최대

178W

에너지 전환

370µJ (on), 67µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

43nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9.3ns/54.8ns

테스트 조건

400V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

82.4ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-220-3

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IXYS

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

54W

에너지 전환

70µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

25nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/65ns

테스트 조건

480V, 7A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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에너지 전환

350µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

109nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/252ns

테스트 조건

400V, 25A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

46ns

작동 온도

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테스트 조건

400V, 4A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

93ns

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장착 유형

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