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RJH65D27BDPQ-A0#T0

RJH65D27BDPQ-A0#T0

참조 용

부품 번호 RJH65D27BDPQ-A0#T0
PNEDA 부품 번호 RJH65D27BDPQ-A0-T0
설명 IGBT 650V
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 6,660
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJH65D27BDPQ-A0#T0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH65D27BDPQ-A0#T0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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RJH65D27BDPQ-A0#T0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형-
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

550A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

전력-최대

2300W

에너지 전환

3.45mJ (on), 2.86mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

460nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/190ns

테스트 조건

400V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

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RGT40NS65DGC9

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

전력-최대

161W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/75ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

전력-최대

188W

에너지 전환

280µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/177ns

테스트 조건

400V, 15A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

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STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

전력-최대

40W

에너지 전환

300µJ (on), 1.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

96nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21.5ns/180ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

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2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

740µJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

153nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/400ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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