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RJK4002DJE-00#Z0

RJK4002DJE-00#Z0

참조 용

부품 번호 RJK4002DJE-00#Z0
PNEDA 부품 번호 RJK4002DJE-00-Z0
설명 MOSFET N-CH 400V 3A TO92
제조업체 Renesas Electronics America
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RJK4002DJE-00#Z0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJK4002DJE-00#Z0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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RJK4002DJE-00#Z0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 100V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds165pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.54W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-92MOD
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

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72A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3780pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

320W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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TO-263AA

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

PHK5NQ15T,518

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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BUK963R3-60E,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

95nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13490pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

293W (Tc)

작동 온도

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Surface Mount

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FDMS2508SDC

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Ta), 49A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.95mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

69nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4515pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.3W (Ta), 78W (Tc)

작동 온도

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18A (Ta), 80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4463pF @ 15V

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Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 83W (Tc)

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