RJM0603JSC-00#12
참조 용
| 부품 번호 | RJM0603JSC-00#12 |
| PNEDA 부품 번호 | RJM0603JSC-00-12 |
| 설명 | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,754 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RJM0603JSC-00#12 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RJM0603JSC-00#12 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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RJM0603JSC-00#12 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| 전력-최대 | 54W |
| 작동 온도 | 175°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 20-HSOP |
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