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RJP60F5DPM-00#T1

RJP60F5DPM-00#T1

참조 용

부품 번호 RJP60F5DPM-00#T1
PNEDA 부품 번호 RJP60F5DPM-00-T1
설명 IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM
제조업체 Renesas Electronics America
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RJP60F5DPM-00#T1 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJP60F5DPM-00#T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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RJP60F5DPM-00#T1 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 40A
전력-최대45W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지74nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C53ns/90ns
테스트 조건400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지TO-3PFM

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600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 27A

전력-최대

200W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

전력-최대

50W

에너지 전환

33µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

5ns/53ns

테스트 조건

480V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

160W

에너지 전환

110µJ (on), 230µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

98nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/100ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

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