RJS6004TDPN-EJ#T2
참조 용
| 부품 번호 | RJS6004TDPN-EJ#T2 |
| PNEDA 부품 번호 | RJS6004TDPN-EJ-T2 |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY TO220FP |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,736 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RJS6004TDPN-EJ#T2 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RJS6004TDPN-EJ#T2 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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RJS6004TDPN-EJ#T2 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 10A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.8V @ 10A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-2 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB-2L |
| 작동 온도-접합 | 150°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -50°C ~ 150°C |
제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial, Radial Bend 공급자 장치 패키지 A-405 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 75ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 30A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
