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RLZTE-113.3B

RLZTE-113.3B

참조 용

부품 번호 RLZTE-113.3B
PNEDA 부품 번호 RLZTE-113-3B
설명 DIODE ZENER 500MW 3.3V LL-34
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,286
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RLZTE-113.3B 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RLZTE-113.3B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • RLZTE-113.3B Distributor

RLZTE-113.3B 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

BZX585B33 RKG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

45nA @ 23V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523F

1PMT4117/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

25V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 19V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

1PMT5938C/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±2%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

38 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 27.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

ZMY4V7-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-213AB

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