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RM24C256DS-LSNI-T

RM24C256DS-LSNI-T

참조 용

부품 번호 RM24C256DS-LSNI-T
PNEDA 부품 번호 RM24C256DS-LSNI-T
설명 IC CBRAM 256K I2C 1MHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
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RM24C256DS-LSNI-T 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RM24C256DS-LSNI-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
RM24C256DS-LSNI-T, RM24C256DS-LSNI-T 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 227.83 KB)
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RM24C256DS-LSNI-T 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈Mavriq™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷CBRAM®
기술CBRAM
메모리 크기256kb (64B Page Size)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지100µs, 2.5ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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접근 시간

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전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

EEPROM

메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

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전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S29GL256P10FFIS10

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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