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RM24C32C-BSNC-B

RM24C32C-BSNC-B

참조 용

부품 번호 RM24C32C-BSNC-B
PNEDA 부품 번호 RM24C32C-BSNC-B
설명 IC CBRAM 32K I2C 750KHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
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RM24C32C-BSNC-B 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RM24C32C-BSNC-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
RM24C32C-BSNC-B, RM24C32C-BSNC-B 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 637.6 KB)
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RM24C32C-BSNC-B 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈Mavriq™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷CBRAM®
기술CBRAM
메모리 크기32kb (32B Page Size)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수750kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지100µs, 5ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

BQ4011MA-150

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제조업체

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

150ns

접근 시간

150ns

전압-공급

4.75V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP Module (0.61", 15.49mm)

공급자 장치 패키지

28-DIP Module (18.42x37.72)

CY62177ESL-55ZXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

IS43TR16512AL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-LFBGA

공급자 장치 패키지

96-LFBGA (10x14)

S34MS02G200TFI003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MS-2

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

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