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RM25C32DS-LTAI-B

RM25C32DS-LTAI-B

참조 용

부품 번호 RM25C32DS-LTAI-B
PNEDA 부품 번호 RM25C32DS-LTAI-B
설명 IC CBRAM 32K SPI 20MHZ 8TSSOP
제조업체 Adesto Technologies
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RM25C32DS-LTAI-B 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RM25C32DS-LTAI-B
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
RM25C32DS-LTAI-B, RM25C32DS-LTAI-B 데이터 시트 (총 페이지: 35, 크기: 1,903.47 KB)
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RM25C32DS-LTAI-B 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈Mavriq™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷CBRAM®
기술CBRAM
메모리 크기32kb (32B Page Size)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지100µs, 2.5ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

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시계 주파수

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접근 시간

45ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IDT71V3556S133BQI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

4.5µs

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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