RN1131MFV(TL3,T)
참조 용
| 부품 번호 | RN1131MFV(TL3,T) |
| PNEDA 부품 번호 | RN1131MFV-TL3-T |
| 설명 | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,086 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
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RN1131MFV(TL3 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RN1131MFV(TL3,T) |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 |
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- RN1131MFV(TL3,T) Distributor
RN1131MFV(TL3 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN - Pre-Biased |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 100 kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| 주파수-전환 | - |
| 전력-최대 | 150mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-723 |
| 공급자 장치 패키지 | VESM |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 저항-베이스 (R1) 2.2 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 260MHz 전력-최대 150mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지 EMT3 |
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제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) - 저항-이미 터베이스 (R2) 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 Mini3-G3-B |
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