RN1705,LF
참조 용
| 부품 번호 | RN1705,LF |
| PNEDA 부품 번호 | RN1705-LF |
| 설명 | NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,390 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RN1705 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RN1705,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 |
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RN1705 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | * |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| 저항-베이스 (R1) | - |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| 주파수-전환 | - |
| 전력-최대 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 500mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
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