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RN2104CT(TPL3)

RN2104CT(TPL3)

참조 용

부품 번호 RN2104CT(TPL3)
PNEDA 부품 번호 RN2104CT-TPL3
설명 TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 2,880
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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RN2104CT(TPL3) 리소스

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RN2104CT(TPL3) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
저항-베이스 (R1)47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 10mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환-
전력-최대50mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지CST3

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Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

2.2 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SMT3; MPAK

UNR9213J0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

125mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-89, SOT-490

공급자 장치 패키지

SSMini3-F1

RN1444ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 4mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 3mA, 30mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

30MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

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250mW

장착 유형

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