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RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

참조 용

부품 번호 RN2113ACT(TPL3)
PNEDA 부품 번호 RN2113ACT-TPL3
설명 TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 92,964
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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RN2113ACT(TPL3) 리소스

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RN2113ACT(TPL3) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)47 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
주파수-전환-
전력-최대100mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지CST3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

100 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

100 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

100MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

PG-SC-75

DRC3143Z0L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

SSSMini3-F2-B

MUN5241T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

100 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

202mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70-3 (SOT323)

DTC143ZCAT116

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SST3

DTB543EETL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

4.7 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

115 @ 100mA, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

260MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

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