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RN262GT2R

RN262GT2R

참조 용

부품 번호 RN262GT2R
PNEDA 부품 번호 RN262GT2R
설명 RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RN262GT2R 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RN262GT2R
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • RN262GT2R Distributor

RN262GT2R 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)100mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지VMD2

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저항 @ If, F

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4V

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커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

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작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

30mA

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1kHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

100°C (TJ)

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전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

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커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

HSMS-2822-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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