RN262GT2R
참조 용
| 부품 번호 | RN262GT2R |
| PNEDA 부품 번호 | RN262GT2R |
| 설명 | RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,598 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RN262GT2R 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RN262GT2R |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 다이오드-RF |
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RN262GT2R 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | PIN - Single |
| 전압-피크 역방향 (최대) | 30V |
| 현재-최대 | 100mA |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
| 저항 @ If, F | 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz |
| 전력 손실 (최대) | 100mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 패키지 / 케이스 | 2-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | VMD2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWERMITE® 다이오드 유형 PIN - Single 전압-피크 역방향 (최대) 50V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F 1pF @ 0V, 100MHz 저항 @ If, F 1Ohm @ 50mA, 100MHz 전력 손실 (최대) 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216 |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 2 Independent 전압-피크 역방향 (최대) 15V 현재-최대 1A 커패시턴스 @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F 12Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 SOT-143-4 |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 1 Pair Series Connection 전압-피크 역방향 (최대) 15V 현재-최대 1A 커패시턴스 @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F 12Ohm @ 5mA, 1MHz 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - 1 Pair Isolated 전압-피크 역방향 (최대) 4V 현재-최대 - 커패시턴스 @ Vr, F 0.25pF @ 0V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky - Single 전압-피크 역방향 (최대) 4V 현재-최대 30mA 커패시턴스 @ Vr, F 0.65pF @ 0.5V, 1MHz 저항 @ If, F - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 SOD-323 |
