RN2711JE(TE85L,F)
참조 용
| 부품 번호 | RN2711JE(TE85L,F) |
| PNEDA 부품 번호 | RN2711JE-TE85L-F |
| 설명 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 31,302 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
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RN2711JE(TE85L 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RN2711JE(TE85L,F) |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 |
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- RN2711JE(TE85L,F) Distributor
RN2711JE(TE85L 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 10kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| 주파수-전환 | 200MHz |
| 전력-최대 | 100mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-553 |
| 공급자 장치 패키지 | ESV |
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