RQ3L050GNTB
참조 용
| 부품 번호 | RQ3L050GNTB |
| PNEDA 부품 번호 | RQ3L050GNTB |
| 설명 | MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,304 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RQ3L050GNTB 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RQ3L050GNTB |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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RQ3L050GNTB 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 300pF @ 30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 14.8W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 8-HSMT (3.2x3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
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