RQA0002DNSTB-E
참조 용
| 부품 번호 | RQA0002DNSTB-E |
| PNEDA 부품 번호 | RQA0002DNSTB-E |
| 설명 | MOSFET N-CH HWSON2 |
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,928 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 22 - 2월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RQA0002DNSTB-E 리소스
| 브랜드 | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RQA0002DNSTB-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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RQA0002DNSTB-E 사양
| 제조업체 | Renesas Electronics America |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 16V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 750mV @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 15W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 2-HWSON (5x4) |
| 패키지 / 케이스 | 3-DFN Exposed Pad |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 180mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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