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RQA0009SXAQS#H1

RQA0009SXAQS#H1

참조 용

부품 번호 RQA0009SXAQS#H1
PNEDA 부품 번호 RQA0009SXAQS-H1
설명 MOSFET N-CH UPAK
제조업체 Renesas Electronics America
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RQA0009SXAQS#H1 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RQA0009SXAQS#H1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • RQA0009SXAQS#H1 Distributor

RQA0009SXAQS#H1 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)16V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id800mV @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)15W (Tc)
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지UPAK
패키지 / 케이스TO-243AA

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ON Semiconductor

시리즈

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P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.4mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

79.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3850pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

ATPAK

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

450V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

630mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

VN10LFTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

330mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

130A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5230pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

390W (Tc)

작동 온도

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Through Hole

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-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

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