RS1GL RHG
참조 용
| 부품 번호 | RS1GL RHG |
| PNEDA 부품 번호 | RS1GL-RHG |
| 설명 | DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,604 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 9 - 11월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RS1GL RHG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RS1GL RHG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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RS1GL RHG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 800mA |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 800mA |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 150ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB |
| 공급자 장치 패키지 | Sub SMA |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 150V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 30A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 30A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 40µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 1280pF @ 1V, 100kHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 Z-Rec® 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1700V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 1700V 커패시턴스 @ Vr, F 880pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Sawn on foil 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1.5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-41 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 12A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
