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RS1MHM2G

RS1MHM2G

참조 용

부품 번호 RS1MHM2G
PNEDA 부품 번호 RS1MHM2G
설명 DIODE GEN PURP 1A DO214AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 3,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RS1MHM2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RS1MHM2G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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RS1MHM2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)500ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 85A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

D2650N24TVFXPSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2400V

전류-평균 정류 (Io)

2650A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 2500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200mA @ 2400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AC, K-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

BYV29-300-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

EGL41A-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

LSM115JE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

15V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

220mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 15V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214BA

공급자 장치 패키지

DO-214BA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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