RT9625AZQW
참조 용
| 부품 번호 | RT9625AZQW |
| PNEDA 부품 번호 | RT9625AZQW |
| 설명 | IC FET DVR 2CH SYNC BUCK 16WQFN |
| 제조업체 | Richtek USA Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,518 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RT9625AZQW 리소스
| 브랜드 | Richtek USA Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RT9625AZQW |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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RT9625AZQW 사양
| 제조업체 | Richtek USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Synchronous |
| 드라이버 수 | 4 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 13.2V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.7V, 3.2V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | - |
| 입력 유형 | Inverting, Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 15V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 25ns, 12ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-WQFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 16-WQFN (4x4) |
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제조업체 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 8V ~ 17V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 3A, 3A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 120V 상승 / 하강 시간 (일반) 8ns, 7ns 작동 온도 -40°C ~ 140°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO PowerPad |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 4.7V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 6A, 6A 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 85ns, 85ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 15.6V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 180mA, 260mA 입력 유형 RC Input Circuit 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 80ns, 45ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.25A, 2A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 36V 상승 / 하강 시간 (일반) 26ns, 18ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 1.8A, 1.8A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 118V 상승 / 하강 시간 (일반) 15ns, 15ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-WSON (4x4) |
