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RT9625BZQW

RT9625BZQW

참조 용

부품 번호 RT9625BZQW
PNEDA 부품 번호 RT9625BZQW
설명 IC FET DVR 2CH SYNC BUCK 16WQFN
제조업체 Richtek USA Inc.
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재고 있음 2,502
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RT9625BZQW 리소스

브랜드 Richtek USA Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RT9625BZQW
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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RT9625BZQW 사양

제조업체Richtek USA Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 13.2V
논리 전압-VIL, VIH0.7V, 3.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)-
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)15V
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 12ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-WQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지16-WQFN (4x4)

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.9V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

150ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

TC4626EOE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 6V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

33ns, 27ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

IXDI609SIATR

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

22ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IXDI430MYI

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

8.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

30A, 30A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

18ns, 16ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

공급자 장치 패키지

TO-263 (D²Pak)

IRS4427PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

6V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.3A, 3.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

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