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RTQ040P02TR

RTQ040P02TR

참조 용

부품 번호 RTQ040P02TR
PNEDA 부품 번호 RTQ040P02TR
설명 MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
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RTQ040P02TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RTQ040P02TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RTQ040P02TR, RTQ040P02TR 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 77.49 KB)
PDFRTQ040P02TR 데이터 시트 표지
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RTQ040P02TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.2nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1350pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.25W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1040pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

BUK7Y15-60EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1838pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

SIHA15N65E-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

E

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

96nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2460pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220 Full Pack

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

HUFA76609D3S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

425pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

49W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

ZVN0124ZSTZ

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

240V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

85pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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LM7824ACT

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LT1965EDD#PBF

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DF10S-T

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